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这儿表明变压器T1的饱和是和主掌反激式工作的初级绕阻和次级绕组有关。T1内置产生电源ic的电源VCC的第三绕阻(引脚4、5)，有关这点，须另行查验是否如设计般产生VCC。
*先，追忆变压器的饱和。变压器所使用的磁性材料(铁、铁氧体等)，具备饱和磁通密度的特性。流入变压器的初级绕组的电流增加，磁场强度就会变大，磁通密度并非无尽增大，达到饱和点后，针对电流提升，磁束密度几乎不会提升。此种情况称为饱和磁化，此时的磁通密度便是饱和磁通密度。
超出饱和点后成为饱和磁化的状态，称为变压器的饱和。对此，与电感相同。变压器的饱和，除了不会提升磁通密度外，电感值反而会急剧减少。
当电感值降低时，对于直流的电阻仅仅是变压器的绕组的电阻。换句话说，变压器饱和后将流过大电流。这是，电源设计中变压器的饱和问题的原因。对此，与电感相同。
右边的波型数据是变压器的将一次侧内置MOSFET的Ids开展开关，绿色线为正常，即变压器未饱和。相较于此，红色虚线则表示变压器饱和时的典型波型。
好似以上，变压器一但饱和，将流过大电流，导致Ids发生峰值电流，也就是电流急剧提升。电流过大时，就可能破坏MOSFET。
变压器设计时，测算一次侧的最大电流Ippk，以开展适合的变压器设计，观察到像以上波型数据般的Ids电流波形时，就必须重新进行变压器设计。变压器设计相关内容请参考这儿。
下列总结了变压器的饱和的检查要点和条件设置。
<变压器的饱和的检查要点>
运用示波器和电流探头等观查漏极电流Ids的电流波形
变压器饱和时，Ids上升力度将出现转变，Ids急剧上升
其电流升高可能会引起MOSFET等破坏
确定变压器的饱和时，请确认Ippk等相关的实际情况
视情况有可能务必重新进行变压器设计
<检查时的条件设置>
输入电压：最小值、最高值(电源启动时、常态时)
负载电流：最高值
工作温度：温度标准的上限及下限温度
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